价 格: | 1.00 | |
品牌: | NEC/日本电气 | |
型号: | K3055 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | MW/微波 | |
封装外形: | SMD(SO)/表面封装 | |
材料: | GaAS-FET砷化镓 | |
开启电压: | 30(V) | |
夹断电压: | 30(V) | |
跨导: | 45(μS) | |
极间电容: | 45(pF) | |
低频噪声系数: | 45(dB) | |
漏极电流: | 4(mA) | |
耗散功率: | 545(mW) |
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