价 格: | 面议 | |
封装外形: | CHIP/小型片状 | |
型号/规格: | AO4411 | |
材料: | ALGaAS铝镓砷 | |
用途: | MOS-HBM/半桥组件 | |
品牌/商标: | AOS万代 | |
沟道类型: | N沟道 | |
种类: | 结型(JFET) | |
导电方式: | 耗尽型 |
产品图片 |
dzsc/18/8898/18889813.jpg |
产品 |
产品广泛应用: AOS美国万代: AO3400A AO3401A AO3402 AO3403 AO3407 A03409 日本松木: ME2301 ME2302 ME2305 ME2306 ME2307 ME2323D 台湾擎力: SPP2301 SPN2302 SPP2303 SPN2304 SPP2305 SPN2308
|
质量 |
全新原装环保 服务: 主营电子元器件 配套(排针 开关 插头 保险丝 座 散热片 航空插头 ...) |
联系方式 |
联系地址:广东省 深圳市 福田区华强三期佳和大厦3A132 联系电话:13410377061 传真号码:0754-82894329 腾讯QQ:838205202
|
制造商: Fairchild Semiconductor 产品种类: MOSFET 及电源驱动器 IC RoHS: 详细信息 产品: MOSFET Gate Drivers 类型: Extra Small, High Performance and Frequency DrMOS Module 上升时间: 25 ns 下降时间: 20 ns 传播延迟时间: 15 ns 电源电压(值): 14 V 电源电压(最小值): 8 V 电源电流: 36 mA 功率耗散: 250 mW 工作温度: 150 C 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: MLP-40 封装: Reel 最小工作温度: - 55 C 激励器数量: 2 输出端数量: 8 输出电流: 35 A 输出电压: 5.2 V Standard Pack Qty: 3000
仙童场效应管FGH40N65UFDTU 全新原装 仙童场效应管FGH40N65UFDTU 全新原装 FGH40N65UFDTU产品规格 参数 PDF Datasheets FGH40N65UFDProduct Photos FGH40N65UFDTUCatalog Drawings IGBT TO-247 PackageStandard Package 150Category Discrete Semiconductor ProductsFamily IGBTs - SingleSeries -IGBT Type Field StopVoltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650VVce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 40ACurrent - Collector (Ic) (Max) 80APower - Max 290WInput Type StandardMounting Type Through HolePackage / Case TO-247-3Supplier Device Package TO-247Packaging TubeCatalog Page 1389 (US2011 PDF)