| 价 格: | 面议 | |
| 型号/规格: | MCR12N | |
| 电流: | 12(A) | |
| 电压: | ≥800(V) | |
| 触发电流: | 5-200 uA(A) | |
| 结温: | 110(℃) | |
| 封装形式: | TO-220AB(半塑封) | |
| 控制方式: | 单向 |
| ?产品类别:12A 单向可控硅-SCRs |
| ?工业型号:BT151-□□□□ |
| ?工业型号:MCR12N |
| ?封装外形:TO-220AB |
| ?管脚排列:K-G-A (K-Cathode;G-Gate;A-Anode) |
| ?电流/IT(RMS):≥12 A ( ITSM: ≤100 A ) |
| ?电压/VDRM:≥800V |
| ?触发电流/IGT:Gate trigger current(VD=12V;RL=100Ω) |
| 5~12~200 ?A (最小值~中间值~值) (微安) |
| ?触发电压/VGT: 0.45V~0.65V~1.00V |
| ?门极散耗功率:0.5W (Average gate power dissipation) |
| ?工作温度/Tj:-40~ 110°C (储存温度: -40~ 150℃) |
| ?器件品牌:KKG、VAST |
| ?包装规格:管装,每管50PCS,每盒2K |
| ?供应状况:少量现货,接受订货 可长期供应 |
?产品类别:16A 单向可控硅-SCRs ?工业型号:TYN1016 (意法ST型号) ?封装外形:TO-220AB ( 220半塑封 ) ?管脚排列:K-A-G (K-Cathode;A-Anode;G-Gate) ?电流/IT(RMS):≥16 A ( ITSM: ≤200 A ) ?电压/VDRM:≥1000V ?触发电流/IGT:2~25 mA (毫安) ?触发电压/VGT: ≤1.3 V ?门极散耗功率:1 W (Average gate power dissipation) ?工作温度/Tj:-40~ 125°C (储存温度: -40~ 150℃) ?器件品牌:ST、KKG(多种品牌同时供应) 也可提供性能/参数相同之代替品 ?包装规格:袋装,每盒1包,每盒250 Pcs ?供应状况:接受订货 可长期供应