| 价 格: | 0.80 | |
| 品牌: | ST/意法 | |
| 型号: | STN1HNK60 | |
| 种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型: | N沟道 | |
| 导电方式: | 增强型 | |
| 用途: | MOS-FBM/全桥组件 | |
| 封装外形: | SMD(SO)/表面封装 | |
| 材料: | GE-N-FET锗N沟道 | |
| 开启电压: | 600(V) | |
| 夹断电压: | 600(V) | |
| 低频跨导: | 24(μS) | |
| 极间电容: | 24(pF) | |
| 低频噪声系数: | 24(dB) | |
| 漏极电流: | 500(mA) | |
| 耗散功率: | 500(mW) |
场效应管STN1HNK60场效应管STN1HNK60场效应管STN1HNK60场效应管STN1HNK60场效应管STN1HNK60
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