DP8822是双路增强型的N沟道MOSFET。连续电流可达7A. 耐压可达20V。据有低漏电流,低导通电阻等特点。
DP8822典型导通内阻为20mR @ 4.5v。为小型TSSOP8/TSOP6封装,内部两管的D级已连通在一起,方便应用。
"DP9926是双路增强型的N沟道MOSFET。连续电流可达7A. 耐压可达20V。据有低漏电流,低导通电阻等特点。DP9926典型导通内阻为20mR @ 4.5v。为小型SOP8封装,内部两管的D级未连在一起,为完全独立之MOSFET客户可随意应用。
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