价 格: | 1.20 | |
品牌/商标: | 0N/安森美 | |
型号/规格: | NTD110N02 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | MOS-FBM/全桥组件 | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
开启电压: | 2(V) | |
夹断电压: | 24(V) | |
低频跨导: | 24(μS) | |
极间电容: | 3440(pF) | |
低频噪声系数: | 24(dB) | |
漏极电流: | 11000(mA) | |
耗散功率: | 10000(mW) |
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