价 格: | 4.50 | |
品牌: | IXY美国电报半导体 | |
型号: | IXTH75N15,IXFH80N10Q,IXFH80N10 | |
种类: | 结型(JFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 耗尽型 | |
用途: | A/宽频带放大 | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
开启电压: | 150(V) | |
夹断电压: | 150(V) | |
低频跨导: | 1(μS) | |
极间电容: | 1(pF) | |
低频噪声系数: | 1(dB) | |
漏极电流: | 1(mA) | |
耗散功率: | 1(mW) |
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IXFH80N10,80N10
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