供应锗二极管，锗二极管特性与应用|原装锗二极管
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | 全系列 | |
| 品牌/商标： | HYG | |
| 封装形式： | 全系列 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 盒带编带包装 |
广东生荣电子实业有限公司依托全球的信息资源及人才，以高新技术，优良管理， 自1995年创业至今，生荣致力于以高品质的产品和完善的服务体系，已发展成为一个拥有厂房建筑面积10000平方多米，员工300多名，年生产能力10亿支以上的现代化企业，并创建了中国半导体行业的知名品牌--HYG。如今，跨入21世纪，生荣将不断开拓创，全力以赴，以我们的诚信和服务承诺向着更高的目标迈进。
特性与应用
几乎在所有的电子电路中，都要用到半导体二极管，它在许多的电路中起着重要的作用，它是诞生最早的半导体器件之一，其应用也非常广泛。
锗二极管（DO-7玻璃封装）
1N60P（2-1K60）VR：40V，Cj：1pF；
1N60（1K60）VR：40V，Cj：1pF；
1N34A（1K34A）VR：40V，Cj：1pF。
主要用于：计算器，收音机，电视机等检波电路。
锗二极管压降一般都在0.2v~0.4v。
区别
由两种二极管的特性曲线可以看出：
1、锗二极管正向在0.2V就开始有电流了，而硅二极管要到0.7V才开始有电流，就是开始导通时的电压不同，锗管小，硅管大；
2、开始导通后，锗管电流增大得慢，硅管电流增大得快；
以上两点也可以总结为，锗管的导通电压小于硅管的直流电阻；但是硅管的交流电阻小于锗管的交流电阻。在规定的正向电流下，二极管的正向电压降。使二极管能够导通的正向电压。小电流硅二极管的正向压降在中等电流水平下，约0.6～0.8 V；锗二极管约0.2～0.3 V。大功率的硅二极管的正向压降往往达到1V。
二极管特性
正向导通：如果给二极管正极的电压高于负极电压（正向偏置电压），只要正极电压达到一定的值，二极管导通，导通后二极管相当于一个导体，二极管的两引脚之间的电阻很小，相当于接通。电流流动方向是从正极流向负极，电流不能从负极流向正极，否则二极管已损坏。
反向截止：如果给二极管正极加的电压低于负极电压（反向偏置电压），二极管处于截止状态，二极管两引脚之间电阻很大，相当于开路。只要是反向电压，二极管中就没有电流流动，如果加的反向电压太大，二极管会击穿，电流从负极流向正极，说明二极管损坏。
稳压二极管具有反向击穿的特性，快恢复二极管相当于两个稳压二极管。
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供应高效率二极管，高效率二极管工作原理|导电特性|正向特性|反向特性
信息内容：广东生荣电子实业有限公司主营范围：整流二极管，瞬变二极管，肖特基二极管，超快速二极管，品质，客户至上。 工作原理 晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的pn结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于pn 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。当外加的反向电压高到一定程度时，pn结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。pn结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分。 导电特性 二极管最重要的特性就是单方向导电性。在电路中，电流只能从二极管的正极流入，负极流出。 正向特性 在电子电路中，将二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端，二极管就会导通，这种连接方式，称为正向偏置。必须说明，当加在二...
供应超快速二极管，超快速二极管概述|检测方法|注意事项
信息内容：广东生荣电子实业有限公司依托全球的信息资源及人才，以高新技术，优良管理， 自1995年创业至今，生荣致力于以高品质的产品和完善的服务体系，已发展成为一个拥有厂房建筑面积10000平方多米，员工300多名，年生产能力10亿支以上的现代化企业，并创建了中国半导体行业的知名品牌--HYG。如今，跨入21世纪，生荣将不断开拓创，全力以赴，以我们的诚信和服务承诺向着更高的目标迈进。 超快速二极管的概述 超快速二极管是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管，主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中，作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用。 快恢复二极管的内部结构与普通PN结二极管不同，它属于PIN结型二极管，即在P型硅材料与N型硅材料中间增加了基区I，构成PIN硅片。因基区很薄，反向恢复电荷很小，所以快恢复二极管的反向恢复时间较短，正向压降较低，反向击穿电压（耐压值）较高。 检测方法 1）测量反向恢复时间 测量电路由直流电流源供规定的IF，脉冲发生器经过隔直电容器C加脉冲信号，利用电子示波器观察到的trr值，即是从I=0的时刻到IR=Irr时刻所经历的时间。设器件内部的反向恢...
