供应双向可控硅BT137X-800E
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌/商标： | 国产 | |
| 型号/规格： | BT137X-800E | |
| 控制方式： | 双向 | |
| 极数： | 三极 | |
| 封装材料： | 塑料封装 | |
| 封装外形： | SOT-252 | |
| 关断速度： | 普通 | |
| 散热功能： | 带散热片 | |
| 频率特性： | 低频 | |
| 功率特性： | 小功率 | |
| 额定正向平均电流： | 8（A） | |
| 控制极触发电流： | 1-20（mA） | |
| 反向重复峰值电压： | 800（V） |
四象限双向可控硅 欢迎来电查询.
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134).
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
-500
-600
V
DRM
Repetitive peak off-state
-
5001
6001
V
voltages
I
T(RMS)
RMS on-state current
full sine wave; T
mb
≤ 107 C
-
4
A
I
TSM
Non-repetitive peak
full sine wave; T
j
= 25 C prior to
on-state current
surge
t = 20 ms
-
25
A
t = 16.7 ms
-
27
A
I2tI
2
t for fusing
t = 10 ms
-
3.1
A2s
dI
T
/dt
Repetitive rate of rise of
I
TM
= 6 A; I
G
= 0.2 A;
on-state current after
dI
G
/dt = 0.2 A/μs
triggering
T2 G
-
50
A/μs
T2 G-
-
50
A/μs
T2- G-
-
50
A/μs
T2- G
-
10
A/μs
I
GM
Peak gate current
-
2
A
V
GM
Peak gate voltage
-
5
V
P
GM
Peak gate power
-
5
W
P
G(AV)
Average gate power
over any 20 ms period
-
0.5
W
T
stg
Storage temperature
-40
150
C
T
j
Operating junction
-
125
C
temperature
1
2
3
tab
T1
T2
G
1 Although not recommended, off-state voltages up to 800V may be applied without damage, but the triac
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供应单向可控硅BT169D
信息内容：厂家直销,大量现货.详情可致电0755-33060028莫生联系。 BT169D /G SeriesMAIN FEATURESSymbol Value UnitIT(RMS) 0.8 AVDRM / VRRM 400 to 600 VIGT 10 to 120 μA
供应微触发单向可控硅BT150-800R
信息内容：供应微触发单向可控硅 欢迎来电查询. QUICK REFERENCEPart Number IT(RMS)(A) VDRM/ VRRM(V) IGT(Max.)(μA) Package PackingBT150- 500R 500BT150- 600R 600BT150- 800R 4 800 200 TO-220AB 50 / Tube-200 / Bulk
