供应原装FQPF12N60C 仙童全新原装场效应管
| 价 格： | 0.12 | |
| 品牌： | FAIRCHILD/仙童 | |
| 型号： | FQPF12N60C | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | AM/调幅 | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 开启电压： | 原厂规格（V） | |
| 夹断电压： | 原厂规格（V） | |
| 低频跨导： | 原厂规格（μS） | |
| 极间电容： | 原厂规格（pF） | |
| 低频噪声系数： | 原厂规格（dB） | |
| 漏极电流： | 原厂规格（mA） | |
| 耗散功率： | 原厂规格（mW） |
dzsc/18/8811/18881154.jpg
置:
晶体管极性:N-Channel
| 制造商: Fairchild Semiconductor 产品种类: MOSFET 功率 RoHS: 详细信息 配置: Single 晶体管极性: N-Channel 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.65 Ohm @ 10 V 正向跨导 gFS（值/最小值） : 13 S 汲极/源极击穿电压: 600 V 闸/源击穿电压: /- 30 V 漏极连续电流: 12 A 功率耗散: 51000 mW 工作温度: 150 C 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: TO-220F 封装: Tube 最小工作温度: - 55 C 零件号别名: FQPF12N60C_NL |
13 S
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 陈义伟
- 电话：
- 传真：
- 手机：
- QQ ：
【IR进口原装 MOS管 场效应管】 IRF9640 IRF9640PBF请咨询
信息内容：【IR进口原装 MOS管 场效应管】 IRF9640 IRF9640PBF 【IR进口原装 MOS管 场效应管】 IRF9640 IRF9640PBF IRF9640 IRF9640PBF产品规格 参数 Datasheets IRF9640Packaging InformationProduct Photos TO-220ABCatalog Drawings IR(F,L)x Series Side 1IR(F,L)x Series Side 2Standard Package 1,000Category Discrete Semiconductor ProductsFamily FETs - SingleSeries -FET Type MOSFET P-Channel, Metal OxideFET Feature StandardDrain to Source Voltage (Vdss) 200VCurrent - Continuous Drain (Id) @ 25° C 11ARds On (Max) @ Id, Vgs 500 mOhm @ 6.6A, 10VVgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µAGate Charge (Qg) @ Vgs 44nC @ 10VInput Capacitance (Ciss) @ Vds 1200pF @ 25VPower - Max 125WMounting Type Through HolePackage / Case TO-220-3Supplier Device Package TO-220ABPackaging TubeCatalog Page 1307 (US2011 Interactive)1307 (US2011 PDF)Other Names *IRF9640PBF
INFINEON全新场效应管/散新管SPP04N60C3
信息内容：INFINEON全新场效应管/散新管SPP04N60C3 INFINEON全新场效应管/散新管SPP04N60C3 SPP04N60C3产品规格 参数 PDF Datasheets SPP,SPA04N60C3Product Photos TO-220-3Product Training Modules CoolMOS™ CP Switching BehaviorCoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs ConvertersCatalog Drawings MOSFET TO-220(AB), TO-220-3Standard Package 500Category Discrete Semiconductor ProductsFamily FETs - SingleSeries CoolMOS™FET Type MOSFET N-Channel, Metal OxideFET Feature StandardDrain to Source Voltage (Vdss) 650VCurrent - Continuous Drain (Id) @ 25° C 4.5ARds On (Max) @ Id, Vgs 950 mOhm @ 2.8A, 10VVgs(th) (Max) @ Id 3.9V @ 200µAGate Charge (Qg) @ Vgs 25nC @ 10VInput Capacitance (Ciss) @ Vds 490pF @ 25VPower - Max 50WMounting Type Through HolePackage / Case TO-220-3Supplier Device Package PG-TO220-3Packaging TubeCatalog Page 1394 (US2011 Interactive)1394 (US2011 PDF)Other Names SP000013534SP000013534SP000681024SPP04N60C3INSPP04N60C3XSPP04N60C3XKSPP04N60C3XTINSPP04N60C3XTIN-ND
