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供应单向可控硅2N6507

价 格: 面议
品牌/商标:国产
型号/规格:2N6507
控制方式:单向
极数:三极
封装材料:塑料封装
封装外形:TO-220
关断速度:普通
散热功能:带散热片
频率特性:低频
功率特性:小功率
额定正向平均电流:4(A)
控制极触发电流:10-30(mA)
反向重复峰值电压:600(V)

标准单向可控硅 欢迎来电查询.

 

 

 

. designed primarily for full-wave ac control applications, such as light dimmers,
motor controls, heating controls and power supplies; or wherever full-wave silicon
gate controlled solid-state devices are needed. Triac type thyristors switch from a
blocking to a conducting state for either polarity of applied anode voltage with positive
or negative gate triggering.
• Sensitive Gate Triggering Uniquely Compatible for Direct Coupling to TTL, HTL,
CMOS and Operational Amplifier Integrated Circuit Logic Functions
• Gate Triggering 4 Mode — 2N6071A,B, 2N6073A,B, 2N6075A,B
• Blocking Voltages to 600 Volts
• All Diffused and Glass Passivated Junctions for Greater Parameter Uniformity
and Stability
• Small, Rugged, Thermopad Construction for Low Thermal Resistance, High Heat
Dissipation and Durability
TRIACs
4 AMPERES RMS
200 thru 600 VOLTS

深圳市威国科技发展有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 莫建群
  • 电话:755-33060028
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供应微触发单向可控硅 欢迎来电查询. 特点:1.主要用于漏电子保护器及其他电子设备的保护及控制电路.2.采用 N 型 NTD 硅单晶片,表面玻璃钝化平面工艺制作.3.断态峰值电压高,低的 VTM及离散性小的 IGT.。 QUICK REFERENCEPart Number IT(RMS)(A) VDRM/ VRRM(V) IGT(Max.)(μA) Package PackingC106B 200C106D 400C106D1 400C106M 600C106M1 4 600 200 TO-126 50 / Tube 500 / Bulk

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