供应场效应管PHT11N06LT
| 价 格： | 1.00 | |
| 品牌： | NXP/恩智浦 | |
| 型号： | PHT11N06LT | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | MOS-HBM/半桥组件 | |
| 封装外形： | SMD(SO)/表面封装 | |
| 材料： | GE-N-FET锗N沟道 | |
| 开启电压： | 2.6（V） | |
| 夹断电压： | 60（V） | |
| 跨导： | 24（μS） | |
| 极间电容： | 1400（pF） | |
| 低频噪声系数： | 24（dB） | |
| 漏极电流： | 500（mA） | |
| 耗散功率： | 600（mW） |
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"蔡楚杰
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