价 格: | 面议 | |
品牌/商标: | TRINNO | |
型号/规格: | TMP13N50 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | SW-REG/开关电源 | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
材料: | GE-N-FET锗N沟道 |
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仙童 MOS IGBT 场效应管Manufacturer:Fairchild Semiconductor Product Category:MOSFETs RoHS:dzsc/18/9930/18993018.jpg Details Product:General Purpose MOSFETs Configuration:Single Package / Case:TO-3P Transistor Polarity:N-Channel Drain-Source Breakdown Voltage:150 V Continuous Drain Current:79 A Power Dissipation:417000 mW Resistance Drain-Source RDS (on):0.03 Ohm @ 10 V Typical Fall Time:38 ns Typical Rise Time:200 ns Typical Turn-Off Delay Time:55 ns Packaging:Tube Gate-Source Breakdown Voltage: /- 30 V Maximum Operating Temperature:150 C Minimum Operating Temperature:- 55 C "
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