【专营场效应管系列】IRF1405 IRF1405PBF 原装/拆机场效应
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌： | IR/国际整流器 | |
| 型号： | IRF1405 IRF1405PBF | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 沟道类型： | P沟道 | |
| 导电方式： | 耗尽型 | |
| 用途： | NF/音频(低频) | |
| 封装外形： | WAFER/裸芯片 | |
| 材料： | SIT静电感应 | |
| 开启电压： | 22（V） | |
| 夹断电压： | 22（V） | |
| 跨导： | 22（μS） | |
| 极间电容： | 22（pF） | |
| 低频噪声系数： | 22（dB） | |
| 漏极电流： | 22（mA） | |
| 耗散功率： | 22（mW） |
【专营场效应管系列】IRF1405 IRF1405PBF 原装墨西哥产地
【专营场效应管系列】IRF1405 IRF1405PBF 原装墨西哥产地
IRF1405 IRF1405PBF产品规格 参数
Datasheets IRF1405PbF
Product Photos TO-220AB PKG
Catalog Drawings IR Hexfet TO-220AB
Standard Package 50
Category Discrete Semiconductor Products
Family FETs - Single
Series HEXFET®
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 169A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.3 mOhm @ 101A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 260nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 5480pF @ 25V
Power - Max 330W
Mounting Type Through Hole
Package / Case TO-220-3
Supplier Device Package TO-220AB
Packaging Tube
Catalog Page 1297 (US2011 Interactive)
1297 (US2011 PDF)
Other Names *IRF1405PBF
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 陈义伟
- 电话：
- 传真：
- 手机：
- QQ ：
ST原装全新场效应管 STW16NK60Z W16NK60Z请咨询
信息内容：ST原装场效应管 STW16NK60Z W16NK60Z 摩洛哥产地 ST原装场效应管 STW16NK60Z W16NK60Z 摩洛哥产地 STW16NK60Z W16NK60Z产品规格 参数 Datasheets STx16NK60ZProduct Photos TO-247 PkgCatalog Drawings ST Series TO-247Standard Package 30Category Discrete Semiconductor ProductsFamily FETs - SingleSeries SuperMESH™FET Type MOSFET N-Channel, Metal OxideFET Feature StandardDrain to Source Voltage (Vdss) 600VCurrent - Continuous Drain (Id) @ 25° C 14ARds On (Max) @ Id, Vgs 420 mOhm @ 7A, 10VVgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µAGate Charge (Qg) @ Vgs 86nC @ 10VInput Capacitance (Ciss) @ Vds 2650pF @ 25VPower - Max 190WMounting Type Through HolePackage / Case TO-247-3Supplier Device Package TO-247-3Packaging TubeOther Names 497-3558-5"
【INFINEON英飞凌原装场效应管】SPP11N65C3 11N65C3
信息内容：【INFINEON英飞凌原装进口场效应管】SPP11N65C3 11N65C3 【INFINEON英飞凌原装进口场效应管】SPP11N65C3 11N65C3 SPP11N65C3 11N65C3产品规格 参数 Datasheets SP(P,A,I)11N65C3Product Photos TO-220-3Product Training Modules CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs ConvertersCatalog Drawings MOSFET TO-220(AB), TO-220-3Standard Package 500Category Discrete Semiconductor ProductsFamily FETs - SingleSeries CoolMOS™FET Type MOSFET N-Channel, Metal OxideFET Feature StandardDrain to Source Voltage (Vdss) 650VCurrent - Continuous Drain (Id) @ 25° C 11ARds On (Max) @ Id, Vgs 380 mOhm @ 7A, 10VVgs(th) (Max) @ Id 3.9V @ 500µAGate Charge (Qg) @ Vgs 60nC @ 10VInput Capacitance (Ciss) @ Vds 1200pF @ 25VPower - Max 125WMounting Type Through HolePackage / Case TO-220-3Supplier Device Package PG-TO220-3Packaging TubeCatalog Page 1394 (US2011 Interactive)1394 (US2011 PDF)Other Names SP000014371SPP11N65C3-NDSPP11N65C3INSPP11N65C3XSPP11N65C3XK
