价 格: | 2.00 | |
品牌/商标: | IR/国际整流器 | |
型号/规格: | IRF2807 | |
种类: | 结型(JFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | NF/音频(低频) | |
封装外形: | CHIP/小型片状 | |
材料: | GE-N-FET锗N沟道 | |
低频噪声系数: | 3 | |
极间电容: | 8 | |
漏极电流: | 20 |
IRF2807基本信息
晶体管极性:N沟道
漏极电流Id 值:82A
电压Vds :75V
开态电阻, Rds(on):0.013ohm
电压@Rds测量:10V
电压Vgs :4V
功耗:150W
封装类型:TO-220AB
针脚数:3
功率Pd:150W
封装类型:TO-220AB
引脚节距:2.54mm
晶体管数:1
晶体管类型:MOSFET
温度@电流测量:25°C
满功率温度:25°C
热阻:0.75°C/W
电压Vgs@Rds on 测量:10V
电压Vds典型值:75V
电流Id连续:71A
电流Idm脉冲:280A
表面安装器件:通孔安装
通态电阻Rds(on)@Vgs = 10V:0.013ohm
阈值电压Vgs(th)典型值:4V
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