价 格: | 3.00 | |
品牌: | INFINEON/英飞凌 | |
型号: | IPA093N06N3G | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 耗尽型 | |
用途: | MOS-FBM/全桥组件 | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
材料: | GE-N-FET锗N沟道 | |
开启电压: | 80(V) | |
夹断电压: | 80(V) | |
跨导: | 24(μS) | |
极间电容: | 5600(pF) | |
低频噪声系数: | 124(dB) | |
漏极电流: | 50(mA) | |
耗散功率: | 60(mW) |
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原装供应场效应G4BC30K供应场效应G4BC30K供应场效应G4BC30K供应场效应G4BC30K供应场效应G4BC30K供应场效应G4BC30K供应场效应G4BC30K供应场效应G4BC30K供应场效应G4BC30K供应场效应G4BC30K
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