特价现货供应 场效应管2SK241Y TO-92
| 价 格： | 0.20 | |
| 品牌/商标： | TOSHIBA/东芝 | |
| 型号/规格： | 2SK241Y | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 耗尽型 | |
| 用途： | A/宽频带放大 | |
| 封装外形： | P-DIT/塑料双列直插 | |
| 材料： | ALGaAS铝镓砷 | |
| 开启电压： | 10（V） | |
| 夹断电压： | 2（V） | |
| 极间电容： | 0.1（pF） | |
| 低频噪声系数： | 20（dB） | |
| 漏极电流： | 2（mA） | |
| 耗散功率： | 1（mW） |
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SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE
- 所属城市：广东 东莞
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特价现货供应 MOS管2SK3018
信息内容：2.5V Drive Nch MOS FET2SK3018zStructureSilicon N-channelMOSFETzApplicationsInterfacing, switching (30V, 100mA)zFeatures1) Low on-resistance.2) Fast switching speed.3) Low voltage drive (2.5V) makes this device ideal forportable equipment.4) Drive circuits can be simple.5) Parallel use is easy.zExternal dimensions (Unit : mm)Each lead has same dimensionsUMT3Abbreviated symbol : KN0.20.150.1Min.0.90.71.252.10.3(3)0.65(2)2.01.3(1)0.65(1) Source(2) Gate(3) DrainzPackaging specificationsT10630002SK3018TypePackageCodeBasic ordering unit(pieces)TapingzAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)ParameterDrain-source voltageGate-source voltageDrain currentTotal power dissipationChannel temperatureStorage temperatureVDSSVGSSPD∗2Tch30 VVmAmW°C±20ID ±100IDP∗1ContinuousPulsed ±400 mA200150Tstg −55 to 150 °CSymbol Limits Unit∗1 Pw≤10μs, Duty cycle≤1%∗2 With each pin mounted on the recommended lands.zEquivalent circuitDrainSource...
特价现货供应 N沟道场效应管FDN337N
信息内容：dzsc/19/1142/19114207.jpg技术/目录信息FDN337N销售商Fairchild Semiconductor (VA)分类分离式半导体产品安装类型表面贴装FET 型N 沟道漏极至源极电压(Vdss)30V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C2.2A开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C在 2.2A、4.5V 时为 65 毫欧输入电容(Ciss) @ Vds300pF @ 10V功率 - 500mW包装剪切带 (CT)闸电荷(Qg) @ Vgs9nC @ 4.5V封装/外壳SSOT-3无铅状态Lead FreeROHS状态RoHS Compliant其它名称FDN337NFDN337NFDN337NCT NDFDN337NCTNDFDN337NCT"
