价 格: | 2.00 | |
品牌/商标: | ST/意法 | |
型号/规格: | P75NF75 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | SW-REG/开关电源 | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
材料: | GE-N-FET锗N沟道 |
ST(B,P)75NF75(FP) |
t820t-6i |
STP75NF75 View All Specifications |
ST Series TO-220 |
50 |
分离式半导体产品 |
FET - 单 |
STripFET™ |
MOSFET N 通道,金属氧化物 |
标准型 |
75V |
80A |
11 毫欧 @ 40A, 10V |
4V @ 250µA |
160nC @ 10V |
3700pF @ 25V |
300W |
通孔 |
TO-220-3 |
TO-220AB |
管件 |
1540 (CN2011-ZH PDF) |
497-2788-5 |
dzsc/18/8794/18879416.jpg
经营 二三极管 场效应管 可控硅 整流桥 CYT电源管理 经营品牌 保征质量
数据列表BT(A,B)10 Series产品相片t820t-6i其它有关文件BTA10 View All Specifications产品目录绘图BTA, T, ACS Series TO-220AB标准包装50类别分离式半导体产品家庭三端双向可控硅开关系列-三端双向可控硅开关类型标准电压 - 断路600V电流 - 导通状态 (It (RMS))()10A电压 - 栅极触发器 (Vgt)()1.3V电流 - 非重复电涌,50、60Hz (Itsm)100A, 105A电流 - 栅极触发电流 (Igt)()25mA电流 - 维持(Ih)25mA配置单一安装类型通孔封装/外壳TO-220-3供应商设备封装TO-220AB包装管件产品目录页面1555 (CN2011-ZH PDF)其它名称497-7185-5BTA10-600CRG-ND 经营 二三极管 场效应管 可控硅 整流桥 CYT电源管理 经营品牌 保征质量dzsc/18/8795/18879517.jpg
经营 二三极管 场效应管 可控硅 整流桥 CYT电源管理 经营品牌 保征质量数据列表IRF1010NPbF产品相片TO-220-3, TO-220AB产品目录绘图IR Hexfet TO-220AB标准包装50类别分离式半导体产品家庭FET - 单系列HEXFET®FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物FET 特点标准型漏极至源极电压(Vdss)55V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C85A开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C11 毫欧 @ 43A, 10VId 时的 Vgs(th)()4V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs120nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds3210pF @ 25V功率 - 180W安装类型通孔封装/外壳TO-220-3供应商设备封装TO-220AB包装管件产品目录页面1518 (CN2011-ZH PDF)其它名称*IRF1010NPBFdzsc/18/8796/18879673.jpg