价 格: | 面议 | |
品牌/商标: | 0N/安森美 | |
型号/规格: | 2N7002E | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | DC/直流 | |
封装外形: | SMD(SO)/表面封装 | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
开启电压: | 2.5(V) | |
跨导: | 530(μS) | |
极间电容: | 40(pF) | |
漏极电流: | 310(mA) | |
耗散功率: | 300(mW) |
•VDS=60V
•ID=0.31A
•RDS(ON)<3Ω
•耗散功率:PD=0.3W @TC=25°C
•工作温度范围:-55 ~ 150°C
600V N-Channel MOSFET• 650V @TJ = 150°C• Typ. RDS(on) = 0.53Ω•工作温度范围:-55 ~ 150°C
N-Channel MOSFET600V, 16A, 0.170Ω• RoHS compliant•工作温度范围:-55to 150°C•开启延迟时间:15.8ns•关断延迟时间:60.3ns