价 格: | 面议 | |
加工定制: | 是 | |
品牌/商标: | ST/意法 | |
型号/规格: | ST13007D | |
应用范围: | 达林顿 | |
材料: | 硅(Si) | |
极性: | NPN型 | |
击穿电压VCEO: | 400(V) | |
集电极允许电流ICM: | 8(A) | |
集电极耗散功率PCM: | 80(W) | |
截止频率fT: | 200(MHz) | |
结构: | 肖特基 | |
封装形式: | TO-220 | |
封装材料: | 金属封装 |
ST13007D 参数表:
数据列表 | ST13007D |
产品相片 | t820t-6i |
其它有关文件 | ST13007D View All Specifications |
标准包装 | 50 |
类别 | 分离式半导体产品 |
家庭 | 晶体管(BJT) -单路 |
系列 | - |
晶体管类型 | NPN |
电流 - 集电极 (Ic)() | 8A |
电压 - 集电极发射极击穿() | 400V |
Ib、Ic条件下的Vce饱和度() | 2V @ 2A,8A |
电流 - 集电极截止() | 100µA |
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 8 @ 5A,5V |
功率 - | 80W |
频率 - 转换 | - |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 |
供应商设备封装 | TO-220 |
包装 | 管件 |
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深圳市福田区金益隆电子商行
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IRFZ48NPBF 参数表:数据列表IRFZ48NPbF产品相片TO-220-3, TO-220AB产品目录绘图IR Hexfet TO-220AB标准包装50类别分离式半导体产品家庭FET -单系列HEXFET®FET型MOSFET N通道,金属氧化物FET特点标准型漏极至源极电压(Vdss)55V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C64A开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C14毫欧 @ 32A,10VId时的 Vgs(th)()4V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs81nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds1970pF @ 25V功率 - 130W安装类型通孔封装/外壳TO-220-3供应商设备封装TO-220AB包装管件dzsc/18/8794/18879483.jpgdzsc/18/8794/18879483.jpgdzsc/18/8794/18879483.jpg 深圳市福田区金益隆电子商行电话:0755-88999830/83664390 手机:13670066487 网址:http://www.jinyilongdianzi.com
dzsc/18/9551/18955165.jpgdzsc/18/9551/18955165.jpgdzsc/18/9551/18955165.jpgdzsc/18/9551/18955165.jpgdzsc/18/9551/18955165.jpgdzsc/18/9551/18955165.jpgdzsc/18/9551/18955165.jpgdzsc/18/9551/18955165.jpgdzsc/18/9551/18955165.jpgdzsc/18/9551/18955165.jpg自恢復保險絲自恢復保險絲具有自動恢復功能的過流保護器件,利用能量動態平衡的原理進行工作,廣泛應用於電腦、電子整流器、汽車、通信、家用電器、電池和其他工業領域。具有對電流與溫度比較敏感,體積小、快速回應時間、低阻值。產品包括直插封裝:BK06、BK16、BK30、BK60、BK90、BK130、BK250、BK600貼片封裝:SMD0603、SMD0805、SMD1210、SMD1812、SMD2016、SMD2920產品符合UL 1950與FCC第68章規範、ITU-TD等規格要求及無鉛認證。