价 格: | 面议 | |
品牌/商标: | IR/国际整流器 | |
型号/规格: | IRF840S | |
种类: | 结型(JFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | DC/直流 | |
封装外形: | SMD(SO)/表面封装 | |
材料: | MES金属半导体 |
全新原装进口IRF740 PDF 文档链接:http://pdf1.alldatasheetcn.com/datasheet-pdf/view/67495/INTERSIL/IRF740.html晶体管极性:ñ频道电流, Id 连续:10A电压, Vds :400V在电阻RDS(上):550mohm功耗, Pd:125W封装类型:TO-220针脚数:3SVHC(高度关注物质):No SVHC (20-Jun-2011)功率, Pd:125W功耗:125W单脉冲雪崩能量 Eas:520mJ器件标记:IRF740封装类型:TO-220封装类型, 替代:SOT-78B引脚节距:2.54mm总功率, Ptot:125W时间, trr 典型值:370ns晶体管数:1温度 @ 电流测量:25°C满功率温度:25°C电容值, Ciss 典型值:1400pF电流, Idm 脉冲:40A通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:550mohm针脚格式:1G, (2 Tab)D, 3S针脚配置:a阈值电压, Vgs th :2V阈值电压, Vgs th :4V
PDF文档链接: http://pdf1.alldatasheetcn.com/datasheet-pdf/view/68131/IRF/IRF3205.htmlFET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物FET 特点:标准型开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C:8 毫欧 @ 62A, 10V漏极至源极电压(Vdss):55V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:110AId 时的 Vgs(th)():4V @ 250µA