价 格: | 1.00 | |
品牌: | FUJI/富士通 | |
型号: | 1MBH60D-100 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | L/功率放大 | |
封装外形: | P-DIT/塑料双列直插 | |
材料: | GE-N-FET锗N沟道 | |
开启电压: | .(V) | |
夹断电压: | .(V) | |
跨导: | .(μS) | |
极间电容: | .(pF) | |
低频噪声系数: | .(dB) | |
漏极电流: | .(mA) | |
耗散功率: | .(mW) |
. 现货优势库存 保证全新原装.............................................................
AP4410GM VDS=30V IDS=10A SO-8(M)AP4435GM VDS=-30V IDS=-9A SO-8(M)AP9410GM VDS=30V IDS=18A SO-8(M)AP9435GM VDS=-30V IDS=-5.3A SO-8(M)AP9926GM VDS=20V IDS=6A SO-8(M)AP2305AGN VDS=-30V IDS=-3.2A SO-23(N)AP2309GN VDS=-30V IDS=-3.7A SO-23(N)
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