供应场效应IGB50N60T
| 价 格： | 6.00 | |
| 品牌： | INFINEON/英飞凌 | |
| 型号： | IGB50N60T | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 耗尽型 | |
| 用途： | MOS-FBM/全桥组件 | |
| 封装外形： | SMD(SO)/表面封装 | |
| 材料： | GE-N-FET锗N沟道 | |
| 开启电压： | 600（V） | |
| 夹断电压： | 60（V） | |
| 跨导： | 24（μS） | |
| 极间电容： | 450（pF） | |
| 低频噪声系数： | 24（dB） | |
| 漏极电流： | 500（mA） | |
| 耗散功率： | 600（mW） |
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"蔡楚杰
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