价 格: | 1.60 | |
品牌/商标: | ST/意法 | |
型号/规格: | STP60NF06 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | SW-REG/开关电源 | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
开启电压: | 2-4(V) | |
夹断电压: | 0(V) | |
极间电容: | 1660(pF) | |
漏极电流: | 60A(mA) | |
耗散功率: | 110W(mW) |
MOSFET N-CH 60V 60A TO-220
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N-MOS 4A 600V TO-252/DPAK 应用案例: dzsc/18/8790/18879003.jpgdzsc/18/8790/18879003.jpg"
描述晶体管极性:N沟道电流, Id 连续:10A电压, Vds :400V在电阻RDS(上):550mohm封装类型:TO-220针脚数:3SVHC(高度关注物质):No SVHC (15-Dec-2010)功率, Pd:125W功耗:125W单脉冲雪崩能量 Eas:520mJ器件标记:IRF740封装类型:TO-220封装类型, 替代:SOT-78B引脚节距:2.54mm总功率, Ptot:125W时间, trr 典型值:370ns晶体管数:1温度 @ 电流测量:25°C满功率温度:25°C电容值, Ciss 典型值:1400pF电流, Idm 脉冲:40A通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:550mohm针脚格式:1G, (2 Tab)D, 3S针脚配置:a阈值电压, Vgs th :2V阈值电压, Vgs th :4V"