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IR全系列MOS 场效应管 IRFBG20PBF IRFBG20 全新原装 长期供应

价 格: 0.10
品牌/商标:IR/国际整流器
型号/规格:IRFBG20PBF
种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
用途:MW/微波
封装外形:CER-DIP/陶瓷直插
材料:GE-N-FET锗N沟道
开启电压:1000(V)
极间电容:500(pF)
漏极电流:1.4(mA)
耗散功率:54(mW)

数据列表 IRFBG20,SiHFBG20
 
产品相片 TO-220AB PKG
 
标准包装 1,000
类别 分离式半导体产品 
家庭 FET - 单路 
系列 -
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
 
FET 特点 标准型
 
开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 11 欧姆 @ 840mA, 10V
 
漏极至源极电压(Vdss) 1000V (1kV)
 
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 1.4A
 
Id 时的 Vgs(th)() 4V @ 250µA
 
闸电荷(Qg) @ Vgs 38nC @ 10V
 
在 Vds 时的输入电容(Ciss)  500pF @ 25V
 
功率 - 54W
 
安装类型 通孔
 
封装/外壳 TO-220-3
 
供应商设备封装 TO-220AB
 
包装 管件
  
其它名称 *IRFBG20PBF

彭志毫
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 彭志毫
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dzsc/18/8790/18879045.jpgdzsc/18/8790/18879045.jpg数据列表 IRF840PBF 产品相片 TO-220AB PKG标准包装 1,000类别 分离式半导体产品 家庭 FET - 单路 系列 -FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点 标准型 开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 850 毫欧 @ 4.8A, 10V 漏极至源极电压(Vdss) 500V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 8A Id 时的 Vgs(th)() 4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 63nC @ 10V 在 Vds 时的输入电容(Ciss) 1300pF @ 25V 功率 - 125W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-220-3 供应商设备封装 TO-220AB 包装 管件 其它名称 *IRF840PBF 科顺龙电子商行主要经销的产品有:场效应管,电源控制IC,IGBT,MCU单片机,LCD驱动IC等等。优势品牌热卖:IR(国际整流器),VISHAY(威世),ST(意法半导体),ON(安森美半导体)。热卖场效应管系列:IRF540N,IRF630N,IRF640N,IRF730,IRF740,IRF830,IRF840,IRF9530N,IRF9540N,IRF9630,IRF9640,IRF9Z24N,IRF9Z34N,IRFZ24N,IRFZ34N,IRFZ44N,IRFZ48N,IRFP150N,IRFP250N,IRFP260N,IRFP264,IRFP450,IRFP460,IRFP460A,IRFBE30,MBR20100CTK,8ETH06,15ETH06,IRFP150,IRFP350,IRFP360,IRD120,IRFP460LC,IRFP054N,IRFP064N...

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