价 格: | 0.10 | |
品牌/商标: | IR/国际整流器 | |
型号/规格: | IRFBG20PBF | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | MW/微波 | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
材料: | GE-N-FET锗N沟道 | |
开启电压: | 1000(V) | |
极间电容: | 500(pF) | |
漏极电流: | 1.4(mA) | |
耗散功率: | 54(mW) |
数据列表 IRFBG20,SiHFBG20
产品相片 TO-220AB PKG
标准包装 1,000
类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单路
系列 -
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 标准型
开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 11 欧姆 @ 840mA, 10V
漏极至源极电压(Vdss) 1000V (1kV)
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 1.4A
Id 时的 Vgs(th)() 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 38nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) 500pF @ 25V
功率 - 54W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3
供应商设备封装 TO-220AB
包装 管件
其它名称 *IRFBG20PBF
VISHAY-FORMERLY INTERNATIONAL RECTIFIER - IRF720PBF - 场效应管 MOSFET N TO-220 400V 3.3Adzsc/18/8787/18878750.jpg晶体管极性:ñ频道电流, Id 连续:3A电压, Vds :400V在电阻RDS(上):1.8ohm电压 @ Rds测量:10V阈值电压, Vgs th 典型值:4V功耗, Pd:40W封装类型:TO-220AB针脚数:3功率, Pd:40W功耗:40W封装类型:TO-220AB引脚节距:2.54mm晶体管数:1温度 @ 电流??量:25°C满功率温度:25°C漏极电流, Id 值:3.3A热阻, 结至外壳 A:2.5°C/W电压 Vgs @ Rds on 测量:10V电压, Vds 典型值:400V电压, Vgs :20V电流, Idm 脉冲:12A表面安装器件:通孔安装针脚格式:1 g2 d/tab3 s针脚配置:a?RoHS协从产品: 是dzsc/18/8787/18878750.jpgRoHS协从证明
dzsc/18/8790/18879045.jpgdzsc/18/8790/18879045.jpg数据列表 IRF840PBF 产品相片 TO-220AB PKG标准包装 1,000类别 分离式半导体产品 家庭 FET - 单路 系列 -FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点 标准型 开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 850 毫欧 @ 4.8A, 10V 漏极至源极电压(Vdss) 500V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 8A Id 时的 Vgs(th)() 4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 63nC @ 10V 在 Vds 时的输入电容(Ciss) 1300pF @ 25V 功率 - 125W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-220-3 供应商设备封装 TO-220AB 包装 管件 其它名称 *IRF840PBF 科顺龙电子商行主要经销的产品有:场效应管,电源控制IC,IGBT,MCU单片机,LCD驱动IC等等。优势品牌热卖:IR(国际整流器),VISHAY(威世),ST(意法半导体),ON(安森美半导体)。热卖场效应管系列:IRF540N,IRF630N,IRF640N,IRF730,IRF740,IRF830,IRF840,IRF9530N,IRF9540N,IRF9630,IRF9640,IRF9Z24N,IRF9Z34N,IRFZ24N,IRFZ34N,IRFZ44N,IRFZ48N,IRFP150N,IRFP250N,IRFP260N,IRFP264,IRFP450,IRFP460,IRFP460A,IRFBE30,MBR20100CTK,8ETH06,15ETH06,IRFP150,IRFP350,IRFP360,IRD120,IRFP460LC,IRFP054N,IRFP064N...