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供应场效应IGBT.G15N60RUFD

价 格: 8.00
品牌/商标:FAIRCHILD/仙童
型号/规格:G15N60RUFD
种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:耗尽型
用途:广泛
材料:N-FET硅N沟道
夹断电压:600(V)

迅丰电子供应场效应IGBT.远新原装.SGH15N60RUFD .如有需要欢迎来电洽谈

特色标志优惠品牌FAIRCHILD
型号SGH15N60RUFD封装TO-3P
极限电压600(V)极限电流15(A)
用途电磁炉沟道类型N沟道

广州市越秀区迅丰电子经营部
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 广州
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 罗东丰
  • 电话:020-83302113
  • 传真:020-83302113
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供应可控硅BT139-600E(图)

信息内容:

产品数量:现货价格说明:面议型号:BT139-600电流/IT(RMS):16(A)电压/VDRM:(600V)触发电流/IGT:IGTⅠ:(T2 G ):5~35mA (象限)IGTⅡ:(T2 G-):8~35mA (第二象限)IGTⅢ:(T2-G-):10~35mA (第三象限)IGTⅣ:(T2-G ):22~70mA (第四象限)触发电压/VGT:VD=12V;IT=0.1A; 0.7~1.5VVD=400V;IT=0.1A;Tj=125℃ 0.25~0.4V工作温度:125℃ ( 储存温度:-40~ 150℃ )门极散耗功率:0.5W供应BT139-600,价格合理,有意者请联系!型号BT139-600 电流16(A)电压600(V) 发货期限10封装形式TO-220AB

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供应双向可控硅原装97A6.97A8

信息内容:

型号MAC97A6,MAC97A8电流1(A)电压600-800(V)控制方式双向可控硅结温双向(℃)极性三极可控硅封装形式TO-92"

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