原厂供应超结MOS管NCE08N60K/NCE08N60I 600V/8A
| 价 格： | 1.00 | |
| 封装外形： | SMD(SO)/表面封装 | |
| 型号/规格： | NCE08N60K/NCE08N60I | |
| 材料： | IGBT绝缘栅比极 | |
| 用途： | SW-REG/开关电源 | |
| 品牌/商标： | NCE | |
| 沟道类型： | COOMOS | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 导电方式： | 增强型 |
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- 所属城市：江苏 无锡
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原厂供应超结MOS管 场效应管NCE20N50 500V/20A
信息内容：产品特征：卓越的功率转换效率 极低的导通功率损耗源于极低的特征导通电阻（Ron*A） 极低的开关功率损耗和驱动功率损耗源于极低的FOM（Ron*Qg) 卓越的Eas能力（100?s测试） 产品应用：电脑、服务器的电源——更低的功率损耗 适配器（笔记本电脑，打印机等）——更轻、更薄 照明（HID灯，工业照明，道路照明等）更高的功率转换功率 消费类电子产品（液晶电视，等离子电视等）——更轻、更薄、更高能效 Vds=500V；Id=20A ； RDS(ON)<190mΩ @Vgs=10V (Typ:160mΩ) 注：@在…的条件下 封装：NCE20N50为TO-220 NCE20N50F为TO-220Fdzsc/18/8781/18878185.jpgdzsc/18/8781/18878185.jpgdzsc/18/8781/18878185.jpgdzsc/18/8781/18878185.jpgdzsc/18/8781/18878185.jpgdzsc/18/8781/18878185.jpgdzsc/18/8781/18878185.jpgdzsc/18/8781/18878185.jpgdzsc/18/8781/18878185.jpgdzsc/18/8781/18878185.jpgdzsc/18/8781/18878185.jpgdzsc/18/8781/18878185.jpgdzsc/18/8781/18878185.jpgdzsc/18/8781/18878185.jpgdzsc/18/8781/18878185.jpg
原厂供应超结MOS管 场效应管NCE05N65K 650V/4.8A
信息内容：产品特征：卓越的功率转换效率 极低的导通功率损耗源于极低的特征导通电阻（Ron*A） 极低的开关功率损耗和驱动功率损耗源于极低的FOM（Ron*Qg) 卓越的Eas能力（100?s测试） 产品应用：电脑、服务器的电源——更低的功率损耗 适配器（笔记本电脑，打印机等）——更轻、更薄 照明（HID灯，工业照明，道路照明等）更高的功率转换功率 消费类电子产品（液晶电视，等离子电视等）——更轻、更薄、更高能效 Vds=650V；Id=4.8A ； Rds(ON)<950mΩ @Vgs=10V (Typ:850mΩ) 注：@在…的条件下 封装：TO-252dzsc/18/9947/18994741.jpgdzsc/18/9947/18994741.jpgdzsc/18/9947/18994741.jpgdzsc/18/9947/18994741.jpgdzsc/18/9947/18994741.jpgdzsc/18/9947/18994741.jpgdzsc/18/9947/18994741.jpgdzsc/18/9947/18994741.jpgdzsc/18/9947/18994741.jpgdzsc/18/9947/18994741.jpgdzsc/18/9947/18994741.jpgdzsc/18/9947/18994741.jpgdzsc/18/9947/18994741.jpgdzsc/18/9947/18994741.jpg
