功率场效应晶体管
| 价 格： | 2.35 | |
| 封装外形： | P-DIT/塑料双列直插 | |
| 型号/规格： | 10N60L | |
| 用途： | SW-REG/开关电源 | |
| 品牌/商标： | MOS | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 导电方式： | 增强型 |
10N60数据表
10A，600V N沟道功率MOSFET
说明
10N60是一种高电压，高电流功率MOSFET，
设计成具有更好的特性，如快速切换时间，低
栅极电荷，低通态电阻，具有较高的崎岖雪崩
的特点。这通常用在高速功率MOSFET
开关电源的应用，PWM马达控制，高
高效的DC-DC转换器和桥电路。
特点
* RDS（ON）=0.8Ω@ VGS= 10V
*低栅极电荷（典型44nC的）
*低Crss（典型18 pF）
*快速开关
* 100％的雪崩测试
*改进dv / dt能力
东莞市正刚电子有限公司
公司信息未核实
- 所属城市：广东 东莞
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 林甲
- 电话：0769-89798719
- 传真：0769-89798719
- 手机：
- QQ ：
公司相关产品
