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场效应管 STD17NF03L / STD17NF03LT4 / 17NF03 /17N03

价 格: 面议
品牌/商标:ST/意法
型号/规格:STD17NF03L
种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
用途:S/开关
封装外形:SMD(SO)/表面封装
材料:N-FET硅N沟道
开启电压:2.2(V)
极间电容:320(pF)
漏极电流:17.000(mA)
耗散功率:30,000(mW)

STD17NF03L中文资料:

制造商

STMicroelectronics

制造商零件编号

STD17NF03LT4

描述

MOSFET N-CH 30V 17A DPAK

类别

分离式半导体产品

家庭

FET -单路

系列

STripFET™

FET

MOSFET N通道,金属氧化物

FET特点

逻辑电平门

开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C

50毫欧@8.5A, 10V

漏极至源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id) @ 25° C

17A

Id时的Vgs(th)()

2.2V @ 250µA 

闸电荷(Qg) @ Vgs

6.5nC @ 5V

Vds时的输入电容(Ciss)

320pF @ 25V

功率-

30W

安装类型

表面贴装 

封装/外壳

TO-252-3, DPak (2引线 接片), SC-63

供应商设备封装

D-Pak

包装

带卷(TR)

 


公司照片:

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备注:

 

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STD17NF03L订购及咨询:

 

深圳市丰尔电子有限公司

 

电话:0755-83687516(7线)

 

商务QQ:120279071

 

MSN: jason-yufo@hotmail.com

 

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场效应管 SUD35N05-26L / 35N05 / SUD35N05

信息内容:

SUD35N05-26L中文资料:制造商Vishay/Siliconix制造商零件编号SUD35N05-26L-E3描述MOSFET N-CH D-S 55V TO252类别分离式半导体产品家庭FET -单路系列TrenchFET®FET型MOSFET N通道,金属氧化物FET特点逻辑电平门开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C20毫欧 @ 20A, 10V漏极至源极电压(Vdss)55V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C-Id时的 Vgs(th)()1V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs13nC @ 5V在 Vds 时的输入电容(Ciss)885pF @ 25V功率 - 50W安装类型表面贴装封装/外壳TO-252-3, DPak (2引线 接片), SC-63供应商设备封装TO-252, (D-Pak)包装带卷 (TR) 公司照片:dzsc/18/8784/18878429.jpgdzsc/18/8784/18878429.jpgdzsc/18/8784/18878429.jpgdzsc/18/8784/18878429.jpg 备注: 1、如果您对该产品的价格、厂家、型号、图片有什么疑问,请联系我们获取该产品的信息。 2、产品繁多,未能一一上传,欢迎与我们联系咨询。 SUD35N05-26L订购及咨询: 深圳市丰尔电子有限公司 电话:0755-83687516(7线) 商务QQ:120279071 MSN: jason-yufo@hotmail.com E-mail:yufo_ic@163.com 手机: 13590258862 / 13531791171 更多详情请登录我们的网站:http://www.yufo-ic.cn/

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