价 格: | 1.18 | |
品牌: | 美国晶圆 | |
型号: | 4N60 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | L/功率放大 | |
封装外形: | CHIP/小型片状 | |
材料: | ALGaAS铝镓砷 | |
开启电压: | 美国晶圆,高品质保障(V) | |
夹断电压: | 美国晶圆,高品质保障(V) | |
跨导: | 美国晶圆,高品质保障(μS) | |
极间电容: | 美国晶圆,高品质保障(pF) | |
低频噪声系数: | 美国晶圆,高品质保障(dB) | |
漏极电流: | 美国晶圆,高品质保障(mA) | |
耗散功率: | 美国晶圆,高品质保障(mW) |
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