价 格: | 0.10 | |
品牌: | IR/国际整流器 | |
型号: | IRFP440 IRFP440PBF | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | MOS-TPBM/三相桥 | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
材料: | GE-N-FET锗N沟道 | |
开启电压: | 500(V) | |
夹断电压: | 10(V) | |
跨导: | 10(μS) | |
极间电容: | 1300(pF) | |
低频噪声系数: | 10(dB) | |
漏极电流: | 8.8(mA) | |
耗散功率: | 150(mW) |
dzsc/18/8779/18877956.jpg
500 |
分离式半导体产品 |
FET - 单 |
- |
MOSFET N 通道,金属氧化物 |
标准型 |
500V |
8.8A |
850 毫欧 @ 5.3A, 10V |
4V @ 250µA |
63nC @ 10V |
1300pF @ 25V |
150W |
通孔 |
TO-247-3 |
TO-247-3 |
管件 |
深圳科顺龙电子 |
*IRFP440PBF |
INTERNATIONAL RECTIFIER - IRL3803PBF - 场效应管 MOSFET N TO-220 30V 120A(深圳科顺龙电子)产品详情: INTERNATIONAL RECTIFIER - IRL3803PBF - 场效应管 MOSFET N TO-220 30V 120A
数据列表 IRFR/U120NPbF 产品相片 DPAK_369D−01 产品目录绘图 IR Hexfet IPAK 标准包装 1,125类别 分离式半导体产品 家庭 FET - 单 系列 HEXFET®FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点 标准型 漏极至源极电压(Vdss) 100V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 9.4A 开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 210 毫欧 @ 5.6A, 10V Id 时的 Vgs(th)() 4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 25nC @ 10V 在 Vds 时的输入电容(Ciss) 330pF @ 25V 功率 - 48W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB 供应商设备封装 I-Pak 包装 管件 其它名称 *IRFU120NPBF dzsc/18/8781/18878144.jpg科顺龙电子商行主要经销的产品有:邦士精密电位器,场效应管,电源控制IC,IGBT,MCU单片机,LCD驱动IC等等。代理分销优势品牌热卖:BOURNS(邦士精密电位器)IR(国际整流器)FREESCALE MICROCHIP(微芯代理全系列货源) 热卖场效应管系列:IRF540N,IRF630N,IRF640N,IRF730,IRF740,IRF830,IRF840,IRF9530N,IRF9540N,IRF9630,IRF9640,IRF9Z24N,IRF9Z34N,IRFZ24N,IRFZ34N,IRFZ44N,IRFZ48N,IRFP150N,IRFP250N,IRFP260N,IRFP264,IRFP450,IRFP460,IRFP460A,IRFBE30,MBR2010...