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场效应管 BUZ102SL / BUZ102

价 格: 面议
品牌/商标:SIE德国西门子AG
型号/规格:BUZ102SL
种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
用途:S/开关
封装外形:SMD(SO)/表面封装
材料:N-FET硅N沟道
开启电压:2(V)
极间电容:1730(pF)
漏极电流:47,000(mA)
耗散功率:120,000(mW)

BUZ102SL中文资料:

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公司照片:

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场效应管 IRF3707S / IRF3707STRLPBF / F3707S

信息内容:

IRF3707S中文资料:制造商International Rectifier制造商零件编号IRF3707STRLPBF描述MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK类别分离式半导体产品家庭FET -单路系列HEXFET®FET型MOSFET N通道,金属氧化物FET特点逻辑电平门开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C12.5毫欧 @ 15A, 10V漏极至源极电压(Vdss)30V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C62AId时的 Vgs(th)()3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs19nC @ 4.5V在 Vds 时的输入电容(Ciss)1990pF @ 15V功率 - 87W安装类型表面贴装 封装/外壳TO-263-3, D²Pak (2引线 接片), TO-263AB供应商设备封装D2PAK包装带卷 (TR) 公司照片:dzsc/18/8780/18878004.jpgdzsc/18/8780/18878004.jpgdzsc/18/8780/18878004.jpgdzsc/18/8780/18878004.jpg 备注: 1、如果您对该产品的价格、厂家、型号、图片有什么疑问,请联系我们获取该产品的信息。 2、产品繁多,未能一一上传,欢迎与我们联系咨询。 IRF3707S订购及咨询: 深圳市丰尔电子有限公司 电话:0755-83687516(7线) 商务QQ:120279071 MSN: jason-yufo@hotmail.com E-mail:yufo_ic@163.com 手机: 13590258862 / 13531791171 更多详情请登录我们的网站:http://www.yufo-ic.cn/ "

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场效应管 IRFZ48NS / IRFZ48NSPBF / FZ48NS

信息内容:

IRFZ48NS中文资料:制造商International Rectifier制造商零件编号IRFZ48NSTRR描述MOSFET N-CH 55V 64A D2PAK类别分离式半导体产品家庭FET -单路系列HEXFET®FET型MOSFET N通道,金属氧化物FET特点标准型开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C14毫欧 @ 32A, 10V漏极至源极电压(Vdss)55V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C64AId时的 Vgs(th)()4V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs81nC @ 10V在 Vds 时的输入电容(Ciss)1970pF @ 25V功率 - 3.8W安装类型表面贴装封装/外壳TO-263-3, D²Pak (2引线 接片), TO-263AB供应商设备封装D2PAK包装带卷 (TR) 公司照片:dzsc/18/8781/18878125.jpgdzsc/18/8781/18878125.jpgdzsc/18/8781/18878125.jpgdzsc/18/8781/18878125.jpg 备注: 1、如果您对该产品的价格、厂家、型号、图片有什么疑问,请联系我们获取该产品的信息。 2、产品繁多,未能一一上传,欢迎与我们联系咨询。 IRFZ48NS订购及咨询: 深圳市丰尔电子有限公司 电话:0755-83687516(7线) 商务QQ:120279071 MSN: jason-yufo@hotmail.com E-mail:yufo_ic@163.com 手机: 13590258862 / 13531791171 更多详情请登录我们的网站:http://www.yufo-ic.cn/

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