价 格: | 面议 | |
封装外形: | SP/特殊外形 | |
型号/规格: | SVF4N60D/F/T/M | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
用途: | TR/激励、驱动 | |
品牌/商标: | SL士兰微电子 | |
沟道类型: | N沟道 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
导电方式: | 增强型 |
描述:
4A、600V N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管SVF4N60D/F/T/M采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压H桥PWM马达驱动。
封装形式:
TO-251-3L;TO-251D-3L;TO-252-2L;TO-220-3L;TO-220F-3L
特点:
∗ 4A,600V,RDS(on)(典型值)=2.0Ω@VGS=10V
∗ 低栅极电荷量
∗ 低反向传输电容
∗ 开关速度快
∗ 提升了dv/dt 能力
主要极限参数(除非特殊说明,TC=25°C):
漏源电压VDS:600V
栅源电压VGS:±30V
漏极电流ID(TC=25°C/100°C):4.0A/2.5A
漏极脉冲电流IDM:16A
详细参数资料请致电我司索取!
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现货供应长电贴片三极管C945LT1,SOT-23封装,RANGE:200-400dzsc/19/0005/19000558.jpgdzsc/19/0005/19000558.jpg "