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场效应管 BUK964R2-55B / 964R2-55B

价 格: 面议
品牌/商标:NXP Semiconductors
型号/规格:BUK964R2-55B
种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
用途:S/开关
封装外形:SMD(SO)/表面封装
材料:N-FET硅N沟道
开启电压:2(V)
极间电容:10220(pF)
漏极电流:75,000(mA)
耗散功率:300,000(mW)

BUK964R2-55B中文资料:

制造商

NXP Semiconductors

制造商零件编号

BUK964R2-55B,118

描述

MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

类别

分离式半导体产品

家庭

FET -单路

系列

TrenchMOS™

FET

MOSFET N通道,金属氧化物

FET特点

逻辑电平门

开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C

3.7毫欧 @ 25A, 10V

漏极至源极电压(Vdss)

55V

电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C

75A

Id时的 Vgs(th)()

2V @ 1mA

闸电荷(Qg) @ Vgs

95nC @ 5V

在 Vds 时的输入电容(Ciss)

10220pF @ 25V

功率 -

300W

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-263-3, D²Pak (2引线 接片), TO-263AB

供应商设备封装

D2PAK

包装

带卷 (TR)

 

公司照片:

 dzsc/18/8774/18877473.jpg

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订购及咨询:

 

深圳市丰尔电子有限公司

 

电话:0755-836875167线);

 

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