价 格: | 1.80 | |
品牌: | ST/意法 | |
型号: | VND14NV04TR | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | DC/直流 | |
封装外形: | SMD(SO)/表面封装 | |
材料: | GE-N-FET锗N沟道 | |
开启电压: | 0(V) | |
夹断电压: | 0(V) | |
低频跨导: | 0(μS) | |
极间电容: | 0(pF) | |
低频噪声系数: | 0(dB) | |
漏极电流: | 0(mA) | |
耗散功率: | 0(mW) | |
类型: | 其他IC |
锋泽电子:元件参数技术支持网页:http://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-pdf/view/25654/STMICROELECTRONICS/VND14NV04.html
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