供应瑞萨IGBT单管 RJH60F5DPQ-A0
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌/商标： | RENESAS/瑞萨 | |
| 型号/规格： | RJH60F5DPQ-A0 | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 耗尽型 | |
| 用途： | D/变频换流 | |
| 封装外形： | P-DIT/塑料双列直插 | |
| 材料： | GE-N-FET锗N沟道 | |
| 开启电压： | 20（V） |
RJH60F5DPQ-A0 瑞萨 可以代替仙童的FGH40N60SFD 英飞凌的IKW30N60T
Collector to emitter voltage VCES 600 V
Gate to emitter voltage VGES ±30 V
Collector current Tc = 25 °C IC 80 A
Tc = 100 °C IC 40 A
Collector peak current ic(peak) Note1 160 A
Collector to emitter diode forward peak current iDF(peak) Note2 100 A
Collector dissipation PC 260.4 W
Junction to case thermal impedance (IGBT) ?j-c 0.48 °C/W
Junction to case thermal impedance (Diode) ?j-cd 2.0 °C/W
Junction temperature Tj 150 °C
Storage temperature Tstg –55 to 150 °C
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批量供应仙童IGBT单管SGH40N60UFD G40N60
信息内容：Absolute Maximum Ratings TC = 25°C unless otherwise notedNotes :(1) Repetitive rating : Pulse width limited by max. junction temperatureThermal CharacteristicsSymbol Description SGH40N60UFD UnitsVCES Collector-Emitter Voltage 600 VVGES Gate-Emitter Voltage ± 20 VICCollector Current @ TC = 25°C 40 ACollector Current @ TC = 100°C 20 AICM (1) Pulsed Collector Current 160 AIF Diode Continuous Forward Current @ TC = 100°C 15 AIFM Diode Maximum Forward Current 160 APD Maximum Power Dissipation @ TC = 25°C 160 WMaximum Power Dissipation @ TC = 100°C 64 WTJ Operating Junction Temperature -55 to 150 °CTstg Storage Temperature Range -55 to 150 °CTLMaximum Lead Temp. for SolderingPurposes, 1/8” from Case for 5 Seconds 300 °C公司介绍上海贯翼电子有限公司是一家的半导体分立器件代理分销商，有着多年的电子元器件销售及配套经验，公司拥有的销售工程师和技术支持工程师，能够为客户提供的产品选型方案和服务。 公司产品线包括LCD 、MCU驱动芯片、MOSFET、IGBT、...
