价 格: | 0.10 | |
品牌/商标: | AP(富鼎) | |
型号/规格: | AP40N03GH 封装:TO-252 批号:07+ | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
封装外形: | SMD(SO)/表面封装 | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
开启电压: | 30(V) |
原装环保,柜台现货。欢迎来人来电咨询索样。
dzsc/18/8771/18877101.jpg
● 外形尺寸dzsc/18/9220/18922090.jpg● 结构CL21为无感结构,用金属化聚酯膜为介质,镀锡导线径向点焊于电容器两端面金属层,环氧树脂包封。● 特点无感结构自愈型高频应用中具高可靠性及优良特性● 用途滤波及噪音抑制回路脉冲、逻辑、定时回路通讯设备中之直流减震,旁路及信号耦合● 技术参数引用标准:GB7335气候类别:40/85/21额定电压:250VDC 400VDC 630VDC电容容量:0.01μF-4.7μF容量偏差:J(±5%) K(±10%)耐电压:1.5U(5s)损耗角正切:≤1.0%(20℃,1KHZ)绝缘电阻:≥7500MΩ C≤0.33μF ≥2500s C>0.33μf(20℃,1Min)"
● 外形尺寸dzsc/18/9291/18929149.jpg● 结构CL21为无感结构,用金属化聚酯膜为介质,镀锡导线径向点焊于电容器两端面金属层,环氧树脂包封。● 特点无感结构自愈型高频应用中具高可靠性及优良特性● 用途滤波及噪音抑制回路脉冲、逻辑、定时回路通讯设备中之直流减震,旁路及信号耦合● 技术参数引用标准:GB7335气候类别:40/85/21额定电压:250VDC 400VDC 630VDC电容容量:0.01μF-4.7μF容量偏差:J(±5%) K(±10%)耐电压:1.5U(5s)损耗角正切:≤1.0%(20℃,1KHZ)绝缘电阻:≥7500MΩ C≤0.33μF ≥2500s C>0.33μf(20℃,1Min)"