价 格: | 0.09 | |
是否提供加工定制: | 否 | |
产品类型: | 快恢复二极管 | |
是否进口: | 否 | |
品牌/商标: | MIC | |
型号/规格: | SF24 | |
材料: | 硅(Si) | |
主要参数: | 2A 200V | |
用途: | - | |
备注: | - |
2A超快速二极管SF 电性技术参数
型号 | 正向电流IF(A) | 正向电压VF(V) | 反向电压VR(V) | 反向漏电流IR(mA) | 反向恢复时间TRR(nS) | 封装形式 |
SF21 | 2 | 0.95 | 50 | 3 | 35 | DO-15 |
SF22 | 2 | 0.95 | 100 | 3 | 35 | DO-15 |
SF23 | 2 | 0.95 | 150 | 3 | 35 | DO-15 |
SF24 | 2 | 0.95 | 200 | 3 | 35 | DO-15 |
SF25 | 2 | 1.25 | 300 | 3 | 35 | DO-15 |
SF26 | 2 | 1.25 | 400 | 3 | 35 | DO-15 |
SF28 | 2 | 1.25 | 600 | 3 | 35 | DO-15 |
DO- |
快恢复二极管的内部结构与普通二极管不同,它是在P型、N型硅材料中间增加了基区I,构成P-I-N硅片。由于基区很薄,反向恢复电荷很小,不仅大大减小了trr值,还降低了瞬态正向压降,使管子能承受很高的反向工作电压。快恢复二极管的反向恢复时间一般为几百纳秒,正向压降约为0.6V,正向电流是几安培至几千安培,反向峰值电压可达几百到几千伏。超快恢复二极管的反向恢复电荷进一步减小,
快恢复二极管的内部结构与普通二极管不同,它是在P型、N型硅材料中间增加了基区I,构成P-I-N硅片。由于基区很薄,反向恢复电荷很小,不仅大大减小了trr值,还降低了瞬态正向压降,使管子能承受很高的反向工作电压。快恢复二极管的反向恢复时间一般为几百纳秒,正向压降约为0.6V,正向电流是几安培至几千安培,反向峰值电压可达几百到几千伏。超快恢复二极管的反向恢复电荷进一步减小,1A超快速二极管SF 电参数型号正向电流IF(A)正向电压VF(V)反向电压VR(V)反向漏电流IR(mA)反向恢复时间TRR(nS)封装形式SF1110.9550335DO-41SF1210.95100335DO-41SF1310.95150335DO-41SF1410.95200335DO-41SF1511.25300335DO-41SF1611.25400335DO-41SF1811.25600335DO-41盒装一盒1000PCS,一件5000PCS,编带一盒5000PCS,一件50000PCS."
采用进口芯片,进口封装工艺。性价比,有优势。 供应0.6A-85A/50V-1600V全系列单、双向可控硅.