价 格: | 1.00 | |
品牌: | 日本瑞萨(RENESAS) | |
型号: | 2SK1317 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | MOS-INM/独立组件 | |
封装外形: | SMD(SO)/表面封装 | |
材料: | HEMT高电子迁移率 | |
开启电压: | 1(V) | |
夹断电压: | 1(V) | |
跨导: | 1(μS) | |
极间电容: | 1(pF) | |
低频噪声系数: | 1(dB) | |
漏极电流: | 1(mA) | |
耗散功率: | 1(mW) |
供应变频器上使用的日本富士IGBT模块
富士(FUJI)电机作为IGBT硅片生产厂家,最早将IGBT模块引入中国。经过十几年的发展,半导体器件已在国内变频器上得到了广泛的应用,已成为变频器经典使用器件。
武汉新瑞科电气技术有限公司成立于1996年,有着十多年功率半导体的销售经验,为富士电机在中国区域的代理商,负责富士产品在中国市场的推广和销售工作,可以提供强大的技术支持,常备大量现货,欢迎选购!
以下型号我公司常备现货:
7MBR15SA120 7MBR25SA120 7MBR35SB120 7MBR50SB120
7MBR50UA120 7MBR100U4B120
2MBI75U4A-120 2MBI100U4A-120 2MBI150U4A-120
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另外变频器上常用器件日本瑞萨(RENESAS)高压MOSFET,性能优越,价格便宜,2SK2225在通用变频器上得到广泛的应用,2SK1317在高压变频器上应用广泛,欢迎广大客户选用我公司代理的产品.
联系人:刘玲芳
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