价 格: | 1.00 | |
功率特性: | 大功率 | |
关断速度: | 普通 | |
极数: | 三极 | |
额定正向平均电流: | 33(A) | |
散热功能: | 带散热片 | |
频率特性: | 超高频 | |
型号/规格: | CT30M-12 | |
封装外形: | 螺旋形 | |
反向重复峰值电压: | 33(V) | |
品牌/商标: | Mitsubishi/三菱 | |
控制极触发电流: | 33(mA) | |
稳定工作电流: | 33(A) | |
控制方式: | 双向 | |
封装材料: | 金属封装 |
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30A/600V IGBT 单管
长期备货!价格优势,质量保证!
dzsc/18/8768/18876855.jpg制造商: ON Semiconductor 产品种类: SCRs RoHS: 详细信息 转折电流 IBO: 10 A 额定重复关闭状态电压 VDRM: 400 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下): 0.01 mA 正向电压下降: 1.7 V 栅触发电压 (Vgt): 1.2 V 栅极峰值反向电压: 5 V 栅触发电流 (Igt): 0.2 mA 保持电流(Ih 值): 5 mA 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: TO-92-3 (TO-226) 封装: Bulk Standard Pack Qty: 5000
制造商: ON Semiconductor 产品种类: SCRs RoHS: 否 转折电流 IBO: 20 A 额定重复关闭状态电压 VDRM: 400 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下): 0.01 mA 正向电压下降: 2.2 V 栅触发电压 (Vgt): 0.8 V 栅极峰值反向电压: 6 V 栅触发电流 (Igt): 0.2 mA 保持电流(Ih 值): 3 mA 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: TO-225-3 封装: Bulk Standard Pack Qty: 500