场效应管 IRFZ48ZL / IRFZ48ZLPBF / FZ48ZL
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌/商标： | IR/国际整流器 | |
| 型号/规格： | IRFZ48ZL | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | S/开关 | |
| 封装外形： | SP/特殊外形 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 开启电压： | 4（V） | |
| 极间电容： | 1720（pF） | |
| 漏极电流： | 61,000（mA） | |
| 耗散功率： | 91,000（mW） |
IRFZ48ZL中文资料：
制造商 | International Rectifier |
制造商零件编号 | IRFZ48ZLPBF |
描述 | MOSFET N-CH 55V 61A TO-262 |
类别 | 分离式半导体产品 |
家庭 | FET -单路 |
系列 | HEXFET® |
FET型 | MOSFET N通道，金属氧化物 |
FET特点 | 标准型 |
开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C | 11毫欧 @ 37A, 10V |
漏极至源极电压(Vdss) | 55V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 61A |
Id时的 Vgs(th)（） | 4V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 64nC @ 10V |
在 Vds 时的输入电容(Ciss) | 1720pF @ 25V |
功率 - | 91W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-262-3（直引线） |
供应商设备封装 | TO-262 |
包装 | 管件 |
公司照片：
dzsc/18/8768/18876826.jpg
dzsc/18/8768/18876826.jpg
dzsc/18/8768/18876826.jpg
dzsc/18/8768/18876826.jpg
备注：
1、如果您对该产品的价格、厂家、型号、图片有什么疑问，请联系我们获取该产品的信息。
2、产品繁多，未能一一上传，欢迎与我们联系咨询。
IRFZ48ZL订购及咨询：
深圳市丰尔电子有限公司
电话：0755-83687516（7线）
商务QQ：120279071
MSN： jason-yufo@hotmail.com
E-mail：yufo_ic@163.com
手机： 13590258862 / 13531791171
更多详情请登录我们的网站：http://www.yufo-ic.cn/
"
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 杨金海
- 电话：
- 传真：
- 手机：
- QQ ：
场效应管 PHB98N03LT / PHB98N03 / 98N03LT / 98N03
信息内容：PHB98N03LT中文资料：制造商NXP Semiconductors制造商零件编号PHB98N03LT描述MOSFET N-CH 25V 75A SOT404类别分离式半导体产品家庭FET -单路系列TrenchMOS™FET型MOSFET N通道，金属氧化物FET特点逻辑电平门开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C5.9毫欧 @ 25A, 10V漏极至源极电压(Vdss)25V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C75AId时的 Vgs(th)（）2V @ 1mA闸电荷(Qg) @ Vgs40nC @ 5V在 Vds 时的输入电容(Ciss)3000pF @ 20V功率 - 111W安装类型表面贴装 封装/外壳TO-263-3, D²Pak (2引线 接片), TO-263AB供应商设备封装D2PAK包装带卷 (TR) 公司照片：dzsc/18/8770/18877070.jpgdzsc/18/8770/18877070.jpgdzsc/18/8770/18877070.jpgdzsc/18/8770/18877070.jpg 备注： 1、如果您对该产品的价格、厂家、型号、图片有什么疑问，请联系我们获取该产品的信息。 2、产品繁多，未能一一上传，欢迎与我们联系咨询。 PHB98N03LT订购及咨询： 深圳市丰尔电子有限公司 电话：0755-83687516（7线） 商务QQ：120279071 MSN： jason-yufo@hotmail.com E-mail：yufo_ic@163.com 手机： 13590258862 / 13531791171 更多详情请登录我们的网站：http://www.yufo-ic.cn/
场效应管 SPB20N60C2 / SPB20N60C3 / 20N60 / SPB20N60
信息内容：SPB20N60C2中文资料： 制造商Infineon Technologies制造商零件编号SPB20N60C2描述MOSFET N-CH 650V 20A TO-263AB类别分离式半导体产品家庭FET -单路系列CoolMOS™FET型MOSFET N通道，金属氧化物FET特点标准型开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C190毫欧 @ 13A, 10V漏极至源极电压(Vdss)650V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C20AId时的 Vgs(th)（）5.5V @ 1mA闸电荷(Qg) @ Vgs103nC @ 10V在 Vds 时的输入电容(Ciss)3000pF @ 25V功率 - 208W安装类型表面贴装封装/外壳TO-263-3, D²Pak (2引线 接片), TO-263AB供应商设备封装P-TO263-3包装带卷 (TR) 公司照片：dzsc/18/8770/18877078.jpgdzsc/18/8770/18877078.jpgdzsc/18/8770/18877078.jpgdzsc/18/8770/18877078.jpg 备注： 1、如果您对该产品的价格、厂家、型号、图片有什么疑问，请联系我们获取该产品的信息。 2、产品繁多，未能一一上传，欢迎与我们联系咨询。 SPB20N60C2订购及咨询： 深圳市丰尔电子有限公司 电话：0755-83687516（7线） 商务QQ：120279071 MSN： jason-yufo@hotmail.com E-mail：yufo_ic@163.com 手机： 13590258862 / 13531791171 更多详情请登录我们的网站：http://www.yufo-ic.cn/ "
