价 格: | 1.00 | |
品牌: | IR/国际整流器 | |
型号: | IRL3103S | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | MOS-INM/独立组件 | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
材料: | GE-N-FET锗N沟道 | |
开启电压: | 120(V) | |
夹断电压: | 1(V) | |
跨导: | 1(μS) | |
极间电容: | 1(pF) | |
低频噪声系数: | 1(dB) | |
漏极电流: | 2000(mA) | |
耗散功率: | 3000(mW) |
主营产品:
功率分立器件,MOSFET(N、P-ChanneL)、IGBT、可控硅、电源管理IC、二极管、三极管、肖特基、快恢复等等·······
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標準包裝 50 類別 離散半導體產品 家庭 電晶體(BJT) - 單路 電晶體類型 PNP 電壓 - 集電極發射極擊穿(值) 100V 電流 - 集電極(Ic)(值) 6A 功率 - 2W DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 300mA, 4V 在Ib、Ic條件下的Vce飽和度() 1.5V @ 600mA, 6A Frequency - Transistion 3MHz Current - Collector Cutoff (Max) 400µA 安裝類型 Tube 封裝/外殼 TO-220 封裝 管裝