| 价 格: | 1.00 | |
| 品牌/商标: | NCE | |
| 型号/规格: | NCE25G120T | |
| 种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型: | N沟道 | |
| 导电方式: | 增强型 | |
| 用途: | MOS-HBM/半桥组件 | |
| 封装外形: | P-DIT/塑料双列直插 | |
| 材料: | IGBT绝缘栅比极 | |
| 开启电压: | 4-7(V) | |
| 夹断电压: | 1200(V) |
产品特征:Trench NPT(非穿通)技术
低Vcesat,低导通损耗
拖尾电流小,更小的开关损耗和更快的开关速度
短路电流能力强,Tsc>10us,可提供给控制电路充足的时间及时关断器件
高Eas能力
更强的抗闩锁能力
极强的抗冲击能力
易并联使用
产品应用:感应加热,微波炉,电磁炉,逆变器,UPS,变频器等
软开关应用
Vds=1200V;Id=25A;
封装:TO-247
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产品特征:低导通电阻,低栅极电荷。 高散热能力,高结温下,大电流持续导通能力。 高Eas能力。(100%UIS测试) 电参数高度一致性和重复性。 特殊制程,高防静电电能力(ESD) 产品应用:主要用于 开关电源,电动车控制器,UPS电源,充电器, 工控电源,太阳能电源,机箱电源,逆变器,电力电源,照明电源, 定制电源,电焊机,机电设备等。 Vds=200V;Id=3.9A ; Rds(ON)<79mΩ @Vgs=10V (Typ:56mΩ) 注:@在…的条件下 封装:SOP-8dzsc/18/8775/18877597.jpgdzsc/18/8775/18877597.jpgdzsc/18/8775/18877597.jpgdzsc/18/8775/18877597.jpgdzsc/18/8775/18877597.jpgdzsc/18/8775/18877597.jpgdzsc/18/8775/18877597.jpgdzsc/18/8775/18877597.jpgdzsc/18/8775/18877597.jpgdzsc/18/8775/18877597.jpgdzsc/18/8775/18877597.jpgdzsc/18/8775/18877597.jpg
产品特征:低导通电阻,低栅极电荷。 高散热能力,高结温下,大电流持续导通能力。 高Eas能力。(100%UIS测试) 电参数高度一致性和重复性。 特殊制程,高防静电电能力(ESD) 产品应用:主要用于 开关电源,电动车控制器,UPS电源,充电器, 工控电源,太阳能电源,机箱电源,逆变器,电力电源,照明电源, 定制电源,电焊机,机电设备等。 Vds=100V;Id=57A ; Rds(ON)<16mΩ @Vgs=10V (Typ:12mΩ) 注:@在…的条件下 封装:TO-220dzsc/18/8797/18879736.jpgdzsc/18/8797/18879736.jpgdzsc/18/8797/18879736.jpgdzsc/18/8797/18879736.jpgdzsc/18/8797/18879736.jpgdzsc/18/8797/18879736.jpgdzsc/18/8797/18879736.jpgdzsc/18/8797/18879736.jpgdzsc/18/8797/18879736.jpgdzsc/18/8797/18879736.jpgdzsc/18/8797/18879736.jpgdzsc/18/8797/18879736.jpgdzsc/18/8797/18879736.jpgdzsc/18/8797/18879736.jpg