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原厂供应高压IGBT单管NCE25G120T 1200V/25A

价 格: 1.00
品牌/商标:NCE
型号/规格:NCE25G120T
种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
用途:MOS-HBM/半桥组件
封装外形:P-DIT/塑料双列直插
材料:IGBT绝缘栅比极
开启电压:4-7(V)
夹断电压:1200(V)

  产品特征:Trench NPT(非穿通)技术

  低Vcesat,低导通损耗

  拖尾电流小,更小的开关损耗和更快的开关速度

  短路电流能力强,Tsc>10us,可提供给控制电路充足的时间及时关断器件

  高Eas能力

  更强的抗闩锁能力

  极强的抗冲击能力

  易并联使用

  产品应用:感应加热,微波炉,电磁炉,逆变器,UPS,变频器等

  软开关应用

  Vds=1200VId=25A 

  封装:TO-247

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无锡新洁能功率半导体有限公司
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原厂供应NCE0203S MOS管场效应管 200V/3.9A

信息内容:

产品特征:低导通电阻,低栅极电荷。 高散热能力,高结温下,大电流持续导通能力。 高Eas能力。(100%UIS测试) 电参数高度一致性和重复性。 特殊制程,高防静电电能力(ESD) 产品应用:主要用于 开关电源,电动车控制器,UPS电源,充电器, 工控电源,太阳能电源,机箱电源,逆变器,电力电源,照明电源, 定制电源,电焊机,机电设备等。 Vds=200V;Id=3.9A ; Rds(ON)<79mΩ @Vgs=10V (Typ:56mΩ) 注:@在…的条件下 封装:SOP-8dzsc/18/8775/18877597.jpgdzsc/18/8775/18877597.jpgdzsc/18/8775/18877597.jpgdzsc/18/8775/18877597.jpgdzsc/18/8775/18877597.jpgdzsc/18/8775/18877597.jpgdzsc/18/8775/18877597.jpgdzsc/18/8775/18877597.jpgdzsc/18/8775/18877597.jpgdzsc/18/8775/18877597.jpgdzsc/18/8775/18877597.jpgdzsc/18/8775/18877597.jpg

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原厂供应 NCE0157 MOS管场效应管 100V/57A 替代IRF3710

信息内容:

产品特征:低导通电阻,低栅极电荷。 高散热能力,高结温下,大电流持续导通能力。 高Eas能力。(100%UIS测试) 电参数高度一致性和重复性。 特殊制程,高防静电电能力(ESD) 产品应用:主要用于 开关电源,电动车控制器,UPS电源,充电器, 工控电源,太阳能电源,机箱电源,逆变器,电力电源,照明电源, 定制电源,电焊机,机电设备等。 Vds=100V;Id=57A ; Rds(ON)<16mΩ @Vgs=10V (Typ:12mΩ) 注:@在…的条件下 封装:TO-220dzsc/18/8797/18879736.jpgdzsc/18/8797/18879736.jpgdzsc/18/8797/18879736.jpgdzsc/18/8797/18879736.jpgdzsc/18/8797/18879736.jpgdzsc/18/8797/18879736.jpgdzsc/18/8797/18879736.jpgdzsc/18/8797/18879736.jpgdzsc/18/8797/18879736.jpgdzsc/18/8797/18879736.jpgdzsc/18/8797/18879736.jpgdzsc/18/8797/18879736.jpgdzsc/18/8797/18879736.jpgdzsc/18/8797/18879736.jpg

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