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热卖 美格拉(纳)高压MOS MDF11N60TH

价 格: 2.60
品牌/商标:MagnaChip(美格纳半导体)
型号/规格:MDF11N60TH
种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
用途:SW-REG/开关电源
封装外形:CER-DIP/陶瓷直插
材料:N-FET硅N沟道
开启电压:5(V)
跨导:13000(μS)
极间电容:1700(pF)
漏极电流:11000(mA)
耗散功率:49000(mW)

MDF11N60
N-Channel MOSFET 600V, 11A, 0.55Ω

 

Brand: MagnaChip

Parts: MDF11N60TH

Package: TO-220F

Features:

11A, 600V, RDS(on)0.55W@VGS= 10V

结温范围:-55 ~ 150°C

耗散功率:49W

 

Applications:

Power supply, PFC, High current and High Speed Switching

广泛应用于电动车,电源工具,汽车调压器 HID灯 金卤灯 LED灯 开关电源 锂电池保护

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上海贝臣电子有限公司
公司信息未核实
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供应IR原装MOS —— IRFB260N

信息内容:

•导通电阻:RDS(on) = 0.04Ω •封装形式:TO-220AB

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供应 美格拉(纳)MOS—MDD5N50GRH 原装

信息内容:

• VDS = 500V• ID = 4.4A @ VGS = 10V• RDS(ON) ≤ 1.4Ω @ VGS = 10V • 工作温度范围:-55 ~ 150°C

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