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场效应管 FDD6696 / D6696

价 格: 面议
品牌/商标:FAIRCHILD/仙童
型号/规格:FDD6696
种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
用途:S/开关
封装外形:SMD(SO)/表面封装
材料:N-FET硅N沟道
开启电压:3(V)
极间电容:1715(pF)
漏极电流:13,000(mA)
耗散功率:1,600(mW)

FDD6696中文资料:

 

制造商

Fairchild Semiconductor

制造商零件编号

FDD6696

描述

MOSFET N-CH 30V 13A D-PAK

类别

分离式半导体产品

家庭

FET -单路

系列

PowerTrench®

FET

MOSFET N通道,金属氧化物

FET特点

逻辑电平门

开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C

8毫欧 @ 13A, 10V

漏极至源极电压(Vdss)

30V

电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C

13A

Id时的 Vgs(th)()

3V @ 250µA

闸电荷(Qg) @ Vgs

24nC @ 5V

在 Vds 时的输入电容(Ciss)

1715pF @ 15V

功率 -

1.6W

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-252-3, DPak (2引线 接片), SC-63

供应商设备封装

D-Pak

包装

带卷 (TR)


公司照片:

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备注:

 

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FDD6696订购及咨询:

 

深圳市丰尔电子有限公司

 

电话:0755-83687516(7线)

 

商务QQ:120279071

 

MSN: jason-yufo@hotmail.com

 

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深圳市福田区丰尔电子商行
公司信息未核实
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场效应管 IPB06N03LA / IPB06N03 / 06N03

信息内容:

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