价 格: | 2.80 | |
品牌/商标: | FJD日本富士电机 | |
型号/规格: | 2SK4005 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | D-G双栅四极 | |
材料: | IGBT绝缘栅比极 | |
开启电压: | 900(V) | |
夹断电压: | 900(V) | |
跨导: | 533(μS) | |
极间电容: | 100(pF) | |
低频噪声系数: | 55(dB) | |
漏极电流: | 26(mA) | |
耗散功率: | 27(mW) |
品牌:FJD日本富士电机 | 型号:2SK4005-01MR,TO-220F,FUJ,DIP/MOS,N场,900V,6A,2.5Ω |
种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 |
导电方式:增强型 |
场效应管 2SK4005-01MR K4005
2SK4005-01MR,TO-220F,FUJ,DIP/MOS,N场,900V,6A,2.5Ωdzsc/18/8784/18878427.jpgdzsc/18/8784/18878427.jpgdzsc/18/8784/18878427.jpg单向可控硅特点,先进的玻璃钝化芯片、具有灵敏的控制极触发电流,通态压降低。用 途广泛应用于各种开关器、小型马达控制器、彩灯控制器、漏电保护器、灯具继电器激励器、逻辑集成电路驱动、大功率可控硅门极驱动、摩托车点火器等线路功率制。杰宝莱科技供应定做充电器专用可控硅!产品类别:单向可控硅-SCRs器件型号MCR100-6封装形式:TO-92Package→脚位排列:C-G-A主要参数:电流-IT(RMS):0.8A电压-VDRM:≥400V触发电流:IGT:10~30µAIGT:30~60µA元件品牌, 型号MCR100-6 电流0.8(A) 电压400(V) 触发电流10-30/30-60m(A) 结温110(℃).
dzsc/19/0587/19058768.jpgdzsc/19/0587/19058768.jpgdzsc/19/0587/19058768.jpg KTC3875通用参数:电流参数:ICM=0.15A电压参数:U(BR)CBO=60V功 率:PCM=150W其他参数:fT=80MHz极 性:NPN