优势供应场效应管RFD15N06 TO-251 TO-252 散新、原装
| 价 格： | 0.85 | |
| 品牌： | HAR美国哈里斯半导体 | |
| 型号： | RFD15N06 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | VA/场输出级 | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 开启电压： | 60（V） | |
| 夹断电压： | 1（V） | |
| 跨导： | 1（μS） | |
| 极间电容： | 1（pF） | |
| 低频噪声系数： | 1（dB） | |
| 漏极电流： | 1（mA） | |
| 耗散功率： | 1（mW） |
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