ON SEMICONDUCTOR NTMD6N02R2G - 场效应管 MOSFET N 20V
| 价 格： | 3.00 | |
| 品牌/商标： | 0N/安森美 | |
| 型号/规格： | NTMD6N02R2G | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | L/功率放大 | |
| 封装外形： | SMD(SO)/表面封装 | |
| 材料： | GE-N-FET锗N沟道 |
晶体管极性:ñ频道
- 电流, Id 连续:6.5A
- 电压, Vds :20V
- 在电阻RDS（上）:35mohm
- 阈值电压, Vgs th 典型值:900mV
- 功耗, Pd:2W
- 封装类型:SOIC
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (19-Dec-2011)
- 功率, Pd:2W
- 封装类型:SOIC
- 晶体管类型:增强
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
- 电压, Vds 典型值:20V
- 表面安装器件:表面安装
深圳市佰昇电子有限公司
公司信息未核实
- 所属城市：广东 深圳
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