| 价 格: | 0.25 | |
| 品牌/商标: | Samsung/三星 | |
| 型号/规格: | AZ1117T-ADJ | |
| 种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型: | N沟道 | |
| 导电方式: | 耗尽型 | |
| 用途: | MIN/微型 | |
| 封装外形: | CHIP/小型片状 | |
| 材料: | N-FET硅N沟道 | |
| 开启电压: | 100(V) | |
| 夹断电压: | 100(V) | |
| 极间电容: | 100(pF) | |
| 低频噪声系数: | 10(dB) | |
| 漏极电流: | 10(mA) | |
| 耗散功率: | 10(mW) |
| 柜台现货,深圳市福田区赛格广场二楼2347柜,主营:二三极管,场效应,IGBT ,单双向可控硅,快恢复,三四端稳压,达林顿大.中.小功率三极管,BTS系列,各种IC集成电路和模块等。 |
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