0.5A 160V场效应K214
| 价 格： | 4.00 | |
| 品牌/商标： | TOSHIBA/东芝 | |
| 型号/规格： | K214 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | DC/直流 | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 开启电压： | 4（V） | |
| 夹断电压： | 160（V） | |
| 极间电容： | 23（pF） | |
| 低频噪声系数： | 4（dB） | |
| 漏极电流： | 0.5（mA） |
K214：0.5A 160V
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苏春湖(个体经营)
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